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10 Différence Entre Les Transistors JFET Et MOSFET

Un transistor est un dispositif à semi-conducteur linéaire qui contrôle le courant avec l’application d’un signal électrique de faible puissance. Les transistors sont généralement classés en deux groupes: bipolaires et à effet de champ.

Un transistor bipolaire est couramment utilisé pour l’amplification. L’appareil peut amplifier des signaux analogiques ou numériques. Il peut également commuter en courant continu ou fonctionner comme un oscillateur. Physiquement, un transistor bipolaire amplifie le courant, mais il peut être connecté dans des circuits conçus pour amplifier la tension ou la puissance.

Le transistor à effet de champ (FET) est un type de transistor qui utilise un champ électrique pour contrôler le flux de courant. Les FET sont des appareils à trois bornes: source, porte et drain.

JFET / JUGFETTransistor

Transistor JFET

JFET (transistor à effet de champ à jonction) également appelé JUGFET, est l’un des types les plus simples de transistors à effet de champ. Les JFET sont des dispositifs semi-conducteurs à trois bornes qui peuvent être utilisés comme commutateurs à commande électronique, amplificateurs ou résistances à commande de tension.

Typiquement, le transistor à effet de champ est composé d’une siliconsection dont la conductance est contrôlée par un champ électrique. La section de silicium à travers laquelle circule le courant est appelée canal et est constituée d’un type de silicium de type p ou de type n. Les connexions à l’extrémité de l’appareil sont appelées source et drain. Le champ électrique pour contrôler le courant est appliqué à une troisième électrode appelée grille, car c’est le seul champ électrique contrôlant le courant circulant dans le canal. Par conséquent, le JFET est un dispositif à tension contrôlée avec une impédance d’entrée élevée généralement en mégohms.

Transistor à effet de champ de jonction, JFET est un dispositif actif très utile et à cet égard, ils sont utilisés dans de nombreux circuits électroniquesdesigns, en raison de certains des avantages qu’ils peuvent afficher. Les avantages incluent un faible bruit, une impédance d’entrée élevée et une polarisation simple, entre autres. Les JFET sont utilisés comme:

  • Amplificateurs à large bande haute impédance.
  • Un commutateur électronique
  • Amplificateurs tampons
  • Résistances variables de tension (VVR) ou résistance de développement de tension (VDR).
  • Oscillateur à déphasage
  • Source de courant constant

Ce que vous devez savoir sur les transistors JFET

  1. JFET signifie Transistor à effet de champ de jonction.
  2. C’est le type de transistor à effet de champ le plus simple dans lequel le courant peut passer de la source au drain ou à la source. JFET utilise la tension appliquée à la borne de grille pour contrôler le courant circulant dans le canal entre les bornes de drain et de source, ce qui entraîne un courant de sortie proportionnel à la tension d’entrée.
  3. Les JFET ne peuvent être utilisés que dans le mode d’appauvrissement en raison de la polarisation inverse de sa jonction pn.
  4. Les JFET ont une impédance d’entrée de (~ 10^ 8 Ω) très inférieure à celle des MOSFET.
  5. Les JFET sont moins sensibles à la décharge électrostatique car ils offrent une capacité d’entrée supérieure à celle des MOSFET.
  6. Le courant de fuite de grille de JFET est de l’ordre de nanoampères (10^-9 A).
  7. Habituellement, la résistance de drain des JFET est plus élevée que celle des MOSFET, donc les caractéristiques de sortie ont tendance à être plus plates que le MOSFET.
  8. Les JFET sont utilisés depuis plus longtemps et ont donc été lentement remplacés dans de nombreux cas d’utilisation d’origine par des appareils plus modernes tels que l’OpAmp CMOS.
  9. Les JFET sont plus simples à fabriquer et sont donc très disponibles et moins chers.
  10. Les JFET sont parfaits pour une utilisation dans des applications à faible bruit telles que les commutateurs électroniques, les amplificateurs tampons, etc.

Transistor MOSFET

Transistor MOSFET

Le transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET), également appelé transistor à oxyde métallique de silicium, est un type de transistor à effet de champ doté d’une grille isolée et fabriqué par oxydation contrôlée d’un semi-conducteur, typiquement du silicium. MOSFET est le plusdispositif semi-conducteur commun dans les circuits numériques et analogiques, et le dispositif d’alimentation le plus commun utilisé pour commuter et amplifier les signaux dans les appareils électroniques.

Le MOSFET est un dispositif à quatre bornes avec des bornes de sources (S), de portes (G), de drain (D) et de corps (B). Le corps du MOSFET est fréquemment connecté à la borne source, ce qui en fait un dispositif à trois bornes comme un transistor à effet de champ.

MOSFET fonctionne en faisant varier la largeur d’un canal électroniquement avec le flux des porteurs de charge. Les porteurs de charge entrent dans lecanal à la source et sortent par le drain. La largeur du canal est contrôlée par la tension sur une électrode située entre la source et le drain appelé grille. La porte est isolée du canal avec une mincecouche d’oxyde métallique.

Applications OFMOSFET

  • La vitesse de commutation élevée des MOSFET en fait un choix idéal dans la conception de circuits hacheurs.
  • Les amplificateurs MOSFET sont largement utilisés dans les applications radiofréquences.
  • Les moteurs à courant continu peuvent être régulés par des MOSFET de puissance.
  • Il agit comme un élément passif comme une résistance, un condensateur et une inductance.

Ce que vous devez savoir À propos du Transistor MOSFET

  1. MOSFET signifie Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique. Il s’agit d’un transistor à effet de champ semi-conducteur à quatre bornes fabriqué par oxydation contrôlée du silicium et où la tension appliquée détermine la conductivité électrique du dispositif. La grille située entre les canaux de source et de drain est électriquement isolée du canal par une couche mince d’oxyde métallique. La raison en est de contrôler la tension et le flux de courant entreles sources et les canaux de drain.
  2. Le MOSFET peut fonctionner en mode d’épuisement ou d’amélioration car la connexion de la porte du MOSFET est complètement isolée du canal de transport de courant principal.
  3. En raison de l’isolant à oxyde métallique, l’impédance d’entrée des MOSFET est de (~ 10 ^ 10 Ω à 10 ^ 15 Ω), ce qui est très supérieur à celui des JFET.
  4. Les MOSFET sont plus sensibles aux dommages de décharge électrostatique en raison de l’isolant supplémentaire en oxyde métallique qui réduit la capacité de la grille, rendant le transistor vulnérable aux dommages à haute tension.
  5. Le courant de fuite de grille du MOSFET est de l’ordre des picoampères (10^-12 A).
  6. Habituellement, la résistance de drain des MOSFET est inférieure à celle des JFET et, par conséquent, les caractéristiques de sortie ont tendance à être moins plates (incurvées) que les JFET.
  7. Les MOSFET sont généralement populaires dans le monde entier et ont donc un composant important dans la plupart des circuits intégrés.
  8. L’ajout d’une couche d’oxyde métallique aux MOSFET rend le processus de fabrication complexe et sophistiqué, ils sont donc relativement coûteux pour les JFET.
  9. Les MOSFET sont principalement utilisés pour des applications à haut bruit telles que la commutation et l’amplification de signaux analogiques ou numériques. En outre, ils sont utilisés dans les systèmes embarqués et les applications contrôlées par moteur.
BASE DE COMPARAISON JFET MOSFET
L’acronyme de JFET signifie Transistor À Effet de Champ de Jonction. MOSFET signifie Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique.
Fonctionnement Il ne peut être utilisé qu’en mode d’épuisement Il peut être utilisé en mode d’épuisement ou d’amélioration
Sensibilité Aux Dommages Causés Par Les Décharges Électrostatiques Élevée Faible
Impédance d’entrée Il a une impédance d’entrée de (~ 10^ 8 Ω) qui est très inférieure à celle des MOSFET. Il a une impédance d’entrée de (~10^10 Ω à 10^15 Ω) qui est très supérieure à celle des JFET.
Courant de fuite de grille Le courant de fuite de grille de JFET est de l’ordre de nanoampères (10^-9 A). Le courant de fuite de grille du MOSFET est de l’ordre des picoampères (10^-12 A).
Caractéristiques d’entrée La résistance de drain des MOSFET est inférieure à celle des JFET et les caractéristiques de sortie ont donc tendance à être moins plates (incurvées) que les JFET. La résistance de drain des MOSFET est inférieure à celle des JFET et les caractéristiques de sortie ont donc tendance à être moins plates que les JFET.
Utilisation Les JFET sont utilisés depuis plus longtemps et ont donc été lentement remplacés dans de nombreux cas d’utilisation d’origine par des appareils plus modernes comme l’OpAmp CMOS. Les MOSFET sont généralement populaires dans le monde entier et ont donc un composant important dans la plupart des circuits intégrés.
Processus de fabrication Les JFET sont plus simples à fabriquer et sont donc très disponibles et moins chers. L’ajout d’une couche d’oxyde métallique aux MOSFET rend le processus de fabrication complexe et sophistiqué, ils sont donc relativement coûteux pour les JFET.
Application Les JFET sont parfaits pour une utilisation dans des applications à faible bruit telles que les commutateurs électroniques, les amplificateurs tampons, etc. Les MOSFET sont principalement utilisés pour des applications à haut bruit telles que la commutation et l’amplification de signaux analogiques ou numériques. En outre, ils sont utilisés dans les systèmes embarqués et les applications contrôlées par moteur.

Quelles Sont Les Similitudes Entre Les MOSFET Et Les JFET?

  • Les JFET et les MOSFET ont une valeur de moins de conductance par rapport à celle des transistors à jonction bipolaire (BJT).
  • Les JFET et les MOSFET sont des dispositifs semi-conducteurs à commande de tension utilisés pour amplifier les signaux faibles à l’aide d’un effet de champ électrique.
  • Les deux ont des attributs communs correspondant àamplification et commutation.
  • Les JFET et les MOSFET peuvent fonctionner en mode d’épuisement.
  • Les transistors JFET et MOSFET sont les transistors fieldeffect les plus populaires couramment utilisés dans les circuits électroniques.
  • Dans les deux JFET et MOSFET, le courant ne circule jamais dans la porte.
  • Les MOSFET et les JFET sont fabriqués avec un dopage à canal n ou à canal p.

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