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10 Diferencia Entre Transistores JFET Y MOSFET

Un transistor es un dispositivo semiconductor lineal que controla la corriente con la aplicación de una señal eléctrica de menor potencia. Los transistores generalmente se clasifican en dos grupos: bipolar y efecto de campo.

Un transistor bipolar se usa comúnmente para amplificación. El dispositivo puede amplificar señales analógicas o digitales. También puede cambiar de CC o funcionar como oscilador. Físicamente, un transistor bipolar amplifica la corriente, pero se puede conectar en circuitos diseñados para amplificar el voltaje o la potencia.

El transistor de efecto de campo (FET) es un tipo de transistor que utiliza un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. Los FET son dispositivos con tres terminales: fuente, compuerta y desagüe.

Transistor JFET/JUGFETTransistor

Transistor JFET

JFET (transistor de efecto de campo de unión) también conocido como JUGFET, es uno de los tipos más simples de transistor de efecto de campo. Los JFET son dispositivos semiconductores de tres terminales que se pueden usar como interruptores controlados electrónicamente, amplificadores o resistencias controladas por voltaje.

Típicamente, el transistor de efecto de campo se compone de una sección de silicona cuya conductancia es controlada por un campo eléctrico. La sección de silicio a través de la cual fluye la corriente se conoce como canal y se compone de un tipo de silicio, ya sea de tipo p o de tipo n. Las conexiones en el otro extremo del dispositivo se denominan fuente y drenaje. El campo eléctrico para controlar la corriente se aplica a un tercer electrodo conocido como compuerta, porque es el único campo eléctrico que controla la corriente que fluye en el canal. Por lo tanto, el JFET es un dispositivo controlado por voltaje con una alta impedancia de entrada, generalmente megohms.

Transistor de efecto de campo de unión, JFET es un dispositivo muy útil y, en este sentido, se utilizan en muchos diseños de circuitos electrónicos, debido a algunas de las ventajas que pueden mostrar. Las ventajas incluyen bajo nivel de ruido, alta impedancia de entrada y sesgo simple, entre otros. Los JFET se utilizan como:

  • Amplificadores de banda ancha de alta impedancia.
  • Un interruptor electrónico
  • Amplificadores tampón
  • Resistencias variables de tensión (VVR) o resistencias de desarrollo de tensión (VDR).
  • Oscilador de cambio de fase
  • Fuente de corriente constante

Lo que necesita saber sobre los Transistores JFET

  1. JFET significa Transistor de Efecto de Campo de Unión.
  2. Es el tipo de transistor de efecto de campo más simple en el que la corriente puede pasar de fuente a fuente de drenaje o drenar. JFET utiliza el voltaje aplicado al terminal de compuerta para controlar la corriente que fluye a través del canal entre los terminales de drenaje y fuente, lo que resulta en que la corriente de salida sea proporcional al voltaje de entrada.
  3. Los JFET solo se pueden operar en el modo de agotamiento debido al sesgo inverso de su unión pn.
  4. Los JFET tienen una impedancia de entrada de (~10^8 Ω), que es mucho más baja que la de los MOSFET.
  5. Los JFET son menos susceptibles a la descarga electrostática porque ofrecen una capacitancia de entrada más alta que los MOSFET.
  6. La corriente de fuga de puerta de JFET es del orden de nanoamplificadores (10^-9 A).
  7. Generalmente, la resistencia al drenaje de los JFET es mayor que la de los MOSFET, por lo tanto, las características de salida tienden a ser más planas que el MOSFET.
  8. Los JFETs han estado en uso durante un período de tiempo más largo y, por lo tanto, han sido reemplazados lentamente en muchos de sus casos de uso originales por dispositivos más modernos como el CMOS OpAmp.
  9. Los JFETs son más fáciles de fabricar y, por lo tanto, están muy disponibles y son más baratos en costo.
  10. Los JFETs son perfectos para su uso en aplicaciones de bajo ruido, como interruptores electrónicos, amplificadores de búfer, etc.

Transistor MOSFETTransistor

Transistor MOSFET

El transistor de efecto campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET), también conocido como transistor de silicio de óxido metálico, es un tipo de transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada y se fabrica mediante oxidación controlada de un semiconductor, típicamente silicio. MOSFET es el dispositivo semiconductor más común en circuitos digitales y analógicos, y el dispositivo de potencia más común utilizado para conmutar y amplificar señales en los dispositivos electrónicos.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales con terminales de fuentes (S), puertas(G), desagüe (D) y cuerpo (B). El cuerpo del MOSFET está conectado frecuentemente al terminal de origen, lo que lo convierte en un transistor de efecto de campo de tres dispositivos terminales.

MOSFET funciona variando el ancho de un canal eléctricamente junto con el flujo de portadores de carga. Los portadores de carga entran al canal en la fuente y salen por el desagüe. El ancho del canal está controlado por el voltaje en un electrodo que se encuentra entre la fuente y el drenaje, conocido como compuerta. La puerta está aislada del canal con una capa delgada de óxido metálico.

Las aplicaciones de los MOSFETs

  • La alta velocidad de conmutación de los MOSFETs lo convierte en una opción ideal para diseñar circuitos de chopper.
  • Los amplificadores MOSFET se utilizan ampliamente en aplicaciones de radiofrecuencia.Los motores de corriente continua
  • se pueden regular mediante MOSFETs de potencia.
  • Actúa como un elemento pasivo como resistencia, condensador e inductor.

Lo que necesita saber Sobre el Transistor MOSFET

  1. MOSFET significa Transistor de Efecto Campo semiconductor de Óxido metálico. Es un transistor de efecto de campo semiconductor de cuatro terminales fabricado por oxidación controlada de silicio y donde la tensión aplicada determina la conductividad eléctrica del dispositivo. La compuerta que se encuentra entre la fuente y los canales de desagüe está aislada eléctricamente del canal por una fina capa de óxido metálico. La razón es controlar el flujo de voltaje y corriente entre las fuentes y los canales de drenaje.
  2. El MOSFET se puede operar en modo de agotamiento o de refuerzo porque la conexión de compuerta MOSFET está completamente aislada del canal de transporte de corriente principal.
  3. Debido al aislante de óxido metálico, la impedancia de entrada de MOSFET es de (~10^10 Ω a 10^15 Ω), que es mucho más alta que la de JFETs.
  4. Los MOSFET son más susceptibles al daño de descarga electrostática debido al aislante de óxido metálico adicional que reduce la capacidad de la compuerta, lo que hace que el transistor sea vulnerable a daños de alto voltaje.
  5. La corriente de fuga de compuerta del MOSFET está en orden de picoamperios (10^-12 A).
  6. Por lo general, la resistencia al drenaje de los MOSFETs es menor que la de los JFETs y, por lo tanto, las características de salida tienden a ser planas (curvas) que los JFETs.
  7. Los MOSFETs son generalmente populares en todo el mundo y, por lo tanto, tienen un componente importante en la mayoría de los circuitos integrados.
  8. La adición de una capa de óxido metálico a los MOSFET, hace que el proceso de fabricación sea complejo y sofisticado, por lo que son comparativamente caros para los JFET.
  9. Los MOSFET se utilizan principalmente para aplicaciones de alto ruido, como conmutación y amplificación de señales analógicas o digitales. Además, se utilizan en sistemas integrados y aplicaciones controladas por motor.

la BASE DE COMPARACIÓN JFET MOSFET
Acrónimo De JFET significa Junction Transistor de Efecto de Campo. MOSFET significa Transistor de Efecto de Campo Semiconductor de Óxido metálico.
Operación Solo se puede operar en el modo de agotamiento Se puede operar en modo de agotamiento o de mejora
Susceptibilidad A Daños Por Descarga Electrostática Alto Bajo
Impedancia de entrada Tiene una impedancia de entrada de (~10^8 Ω), que es mucho más baja que la de los MOSFET. Tiene una impedancia de entrada de (~10^10 Ω a 10^15 Ω), que es mucho más alta que la de los JFET.
Corriente de fuga de puerta La corriente de fuga de puerta de JFET es del orden de nanoamperios (10^-9 A). La corriente de fuga de compuerta del MOSFET está en orden de picoamperios (10^-12 A).
Características de entrada La resistencia al drenaje de los MOSFET es menor que la de los JFET y, por lo tanto, las características de salida tienden a ser menos planas (curvas) que los JFET. La resistencia al drenaje de los MOSFET es menor que la de los JFET y, por lo tanto, las características de salida tienden a ser menos planas que los JFET.
Use Los JFETs han estado en uso durante un período de tiempo más largo y, por lo tanto, han sido reemplazados lentamente en muchos de sus casos de uso originales por dispositivos más modernos como el OpAmp CMOS. Los MOSFET son generalmente populares en todo el mundo y, por lo tanto, tienen un componente importante en la mayoría de los circuitos integrados.
Proceso de fabricación Los JFETs son más fáciles de fabricar y, por lo tanto, están mucho más disponibles y son más baratos en costo. La adición de una capa de óxido metálico a los MOSFET hace que el proceso de fabricación sea complejo y sofisticado, por lo que son comparativamente caros para los JFET.
Aplicación Los JFETs son perfectos para su uso en aplicaciones de bajo ruido, como interruptores electrónicos, amplificadores de búfer, etc. Los MOSFET se utilizan principalmente para aplicaciones de alto ruido, como conmutación y amplificación de señales analógicas o digitales. Además, se utilizan en sistemas integrados y aplicaciones controladas por motor.

¿Cuáles Son Algunas De Las Similitudes Entre MOSFET Y JFET?

  • Tanto los JFET como los MOSFET tienen un valor de conductividad lesstrans en comparación con el de los transistores de unión bipolar(BJT).
  • Tanto los JFET como los MOSFET son dispositivos semiconductores controlados por voltaje que se utilizan para amplificar señales débiles mediante un efecto de campo eléctrico.
  • Ambos tienen atributos comunes correspondientes a amplificación y conmutación.
  • Tanto los JFET como los MOSFET pueden funcionar en modo de agotamiento.
  • JFET y MOSFET son los transistores de efecto de campo más populares comúnmente utilizados en circuitos electrónicos.
  • Tanto en JFET como en MOSFET, la corriente nunca fluye a la puerta.
  • Tanto los MOSFET como los JFET se fabrican con dopaje de canal n o canal p.

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